중국 선형 포토다이오드 제조업체 공장 공급업체
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포토달링턴 광학 트랜지스터
포토달링턴 광 트랜지스터(모델 ETT0623BE1)는 NPN실리콘 기반의 포토달링턴 부품입니다. 내부 2단계 트랜지스터 스택 설계는 매우 높은 전류 이득을 제공합니다. 매우 약한 입사광 입력이라도 명백한 전기 신호 출력을 유발할 수 있습니다.
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광학 감지 트랜지스터
광트랜지스터(ET102BM2)는 940nm에서 피크 스펙트럼 응답을 제공하는 TO18 메탈캔 패키지 실리콘 NPN 광트랜지스터입니다. 6mA 광전류, 200nA 암전류 및 초광각 130도 수신 시야를 제공합니다. 단일 TOcan 패키지 내에 광 감지 및 신호 증폭 기능을 통합하여 많은 적외선 감지 회로에 대한 추가 개별 증폭기 구성 요소에 대한 요구...
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사진 수신 트랜지스터
광수신 트랜지스터(ET102BM2)는 940nm 적외선 수신에 최적화된 TO18 메탈캔 패키지 실리콘 광트랜지스터입니다. 이는 6mA 일반 광전류와 200nA 암전류를 제공하며 매우 넓은 130도 수신 시야각을 제공합니다.
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감광성 바이폴라 트랜지스터
감광성 바이폴라 트랜지스터(모델 ET102BM2)는 TO18 메탈캔 패키지 NPN형 바이폴라 광트랜지스터입니다. 피크 파장 응답은 940nm에 중심을 두고 있으며 940nm 적외선 방출 다이오드와 잘 일치합니다. 최대 6mA의 광전류와 200nA의 암전류를 제공하며, 넓은 각도 범위에서 입사광을 포착할 수 있는 매우 넓은 130도 수신 시야각을...
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고감도 눈사태 포토다이오드
고감도 애벌런치 포토다이오드는 매칭된 역바이어스 전압 하에서 애벌런치 반송파 증폭 효과를 활용하여 고감도 약광 신호 수신을 실현합니다. 최적의 증배 이득 M=100을 달성하여 희미한 입사광에 의해 트리거되는 광전류를 크게 증폭합니다. 일반 PIN 포토다이오드에는 이러한 내부 이득 메커니즘이 없습니다.
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눈사태 광학 검출기 다이오드
애벌런치 광검출기 다이오드는 애벌런치 효과 기반의 고감도 광수신 반도체 소자이다. 적절한 역바이어스 전압에서 내부 캐리어 증배 효과를 생성하여 약한 광전류 신호를 증폭하여 최적의 증배 이득 M=100.에 도달합니다.
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선형 광전자 다이오드
선형 포토다이오드(ED602MG3)는 선형 영역 광신호 수신을 위해 설계된 TO18 메탈캔 패키지 실리콘 포토다이오드입니다. 정격 역전압은 20V에 도달합니다. 개방 회로 전압 0.42V, 단락 전류 1835μA, VR=5 V에서 암전류 0.1μA, 접합 용량 50pF.
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선형 광 감지 다이오드
선형 광 감지 다이오드(ED602MG3)는 아날로그 광 감지 작업을 위해 제작된 TO18 금속 캔 캡슐화 실리콘 광 다이오드입니다. 주요 전기 매개변수에는 20V 정격 역전압, 0.42V 개방 회로 전압, 1,835μA 단락 전류, 5V 역 바이어스 하에서 0.1μA 암전류 및 50pF 접합 정전 용량이 포함됩니다.
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1653nm 레이저 다이오드
파장: 중심은 1653.7nm입니다. 이것이 메탄 흡수 피크입니다. 검출할 때 파장을 정렬해야 합니다. 우리의 파장 오차는 ±1nm 이내입니다. 파장은 온도에 따라 0.1nm/도씩 변화합니다. 전류에 따라 0.015nm/mA씩 변화합니다. 따라서 온도 제어를 위해서는 TEC를 사용해야 합니다. TEC: 내장된 TEC는 88도까지 냉각할 수 있습니다.
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눈사태 사진 감지기
이득: APD에 역바이어스를 추가하면 광전류가 증폭됩니다. 최적 이득 M=100. 이는 출력 신호가 입력 광의 100배임을 의미합니다. 일반 PIN에는 이득이 없습니다. 응답성: 45~50A/W. 이 숫자는 매우 높습니다. 1마이크로와트의 빛마다 45~50마이크로암페어의 전류를 얻습니다. 암전류: 게인 100에서 암전류는 0.6~2nA에 불과합니다.












